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　　清华大学谢丹在国际著名期刊上的文章实属伪造！

　　作者：duolon

　　前几日《新语丝》刊登了清华大学教师谢丹在国际著名期刊IEEE ELECTRON 
DEVICE LETTERS上发表文章中伪造作者身份一事，进一步搜索一下此人的资料及
近期发表的文章，发现此人果真大有“文章”，其该篇发表在IEEE ELECTRON 
DEVICE LETTERS（EDL） VOL. 30, NO.5 pp463上的文章Fabrication and 
Properties of Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/HfO2/Si Structure for 
Ferroelectric DRAM (FEDRAM) FET不仅仅是伪造作者身份，其文章内容之伪造
更是变本加厉！

　　1.谎称“首创”。该EDL文中先后两次声称其提出的“ 基于BNdT和HfO2的
MFIS结构”为"for the first time"，其实网上查询一下，可以很容易发现，早
在几年之前就已有学者提出并实现了此结构。一个例子可见：Formation of 
Ferroelectric (Bi, Nd)4Ti3O12 Thin Films on HfO2/Si(100) Structures 
for MFIS-type Ferroelectric Memory Applications, YOSHIAKI TABUCHI et 
al., Integrated Ferroelectrics, 65: 125–134, 2004. 

　　2.一稿多投。可以检索到Dan Xie作为通讯作者的同时期文章中，另有2篇内
容与该篇EDL文章多有雷同，即

　　(1)Buffer Layer Dependence ofB3.1sNdo.8sTi3012 (BNdT) Based MFIS 
Capacitor for FeFET Application, Yafeng Luo, Dan Xie (corresponding 
author), et al, 9th International Conference on Solid-State and 
Integrated-Circuit Technology, 2008. ICSICT 2008.  Publication Date: 
20-23 Oct. 2008
　　(2)INTERFACE STUDIES AND ELECTRONIC PROPERTIES OF SILICON BASED 
Nd-DOPED BISMUTH TITANATE, Yongyuan Zang; Dan Xie (corresponding 
author), et al, Integrated Ferroelectrics, 98: 90–96, 2008

　　3. 伪造数据。更为夸张的是，对照谢丹这些一稿多投的文章，其对于相同
的实验，竟然给出了不同的实验结果，见该EDL文章中Fig 5和上面提到的(1)文
中Fig 5，同一通讯作者在同一时期发表的文章中，同种样品在相同的实验条件
下，竟然给出相差3个数量级的漏电流实验结果！由于这种三个量级的“优化”，
谢某的文章也升级到了国际著名期刊IEEE EDL！文中诸如此类，不胜枚举！

　　身为清华大学副教授的谢某种种造假行径明目张胆，登峰造极，肆无忌惮！

(XYS20090630)

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