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吉林大学电子科学与工程学院院长杜国同等人盗用他人AFM照片

方老师：

您好！

我向您反映一个吉林大学教授以及他的研究生盗用他人AFM照片的情况。

吉林大学电子科学与工程学院院长杜国同等人发表文章时盗用他人AFM照片,表现
在:

1)他们在Optics & Laser Technology 33(2001)507-509的文章中的图1（ＡＦ
Ｍ）,是ＪＩＮ等发表于Surface Science 423(1999)L211-L215上的ＡＦＭ图1,
他们在Optics & Laser Technology 33(2001)507-509的文章中的图２（ＡＦＭ）,
亦是ＪＩＮ等发表于Surface Science 
423(1999)L211-L215上的ＡＦＭ图３，在他们这篇文章的第二部分是引了ＪＩＮ
的文章，但只是关于样品的ＭＯＣＶD生长方法，而在该文第三部分用这两个Ａ
ＦＭ照片时并无任何引用说明.
  
2）他们在Jpn.J.Appl.Phys.Vol.40(2001)5889的一文中所用的图3（ＡＦＭ），
是ＷＡＮＧ BZ 在Journal of Crystal Growth 186 (1998)43-47的文章中的图2,
尽管他们在此文中引用了WANGＢＺ的这篇文章，但不是关于这个图，只是在提到
这个图之前，说沉积在InP衬底上的 GaAs层对网格状的InAs岛起重要作用时引用
的．
 
众所周知，ＡＦＭ照片尺度很小（零点几到２微米见方），即使用同一个样品，
不同时间也很难找到同一位置照出两个同样大小且完全相同的ＡＦＭ图．请注意，
他们在Jpn.J.Appl.Phys.Vol.40(2001)5889的一文中用的图3（ＡＦＭ），所标
的尺寸是０．８２８微米，而WANGＢＺ等人发表在Journal of Crystal Growth 
186 (1998)43-47中的ＡＦＭ图２标的尺寸是８２８纳米，亦即两者不仅形貌而
且尺寸都一样．

方老师，这四篇文章的原文 pdf 格式随附件给您发送过来，不知您如何看待这
一问题。 

     祝您工作愉快！

一名中国科学院北京半导体所的研究生

(XYS20040513)

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