◇◇新语丝(www.xys.org)(xys.dxiong.com)(xys.3322.org)(xys.freedns.us)◇◇ 关于“吉林大学电子科学与工程学院院长杜国同等人盗用他人AFM照片”的情况说明 我是Optics & Laser Technology 33(2001)507-509和Jpn.J.Appl.Phys.Vol.40(2001)5889 文章的第一作者殷景志（Jingzhi Yin）。我现就新语丝5月13日发表的“吉林大学电子科学与工 程学院院长杜国同等人盗用他人AFM照片”问题作下列答复： 首先就网上涉及的四篇论文的第一作者作简单介绍。四篇论文的第一作者都曾是吉林大学集成光 电子学国家重点实验室中的MOCVD实验室的研究生，金智（Zhi Jin）是刘式墉教授的博士生 （1996~1999年，毕业后就去日本了）；王本忠（Benzhong Wang）曾是我实验室教师，是刘式 墉教授的硕士生，大约1997年去新加坡工作；我是杜国同教授的在职博士生（1998~2002年）， 我们都是在吉林大学集成光电子学国家重点实验室中的MOCVD实验室完成毕业论文的，我且与金 智博士共同做过实验。请注意我和金智在论文中所留的通信地址都是MOCVD实验室 ysr@mail.jlu.edu.cn. 这四篇文章中涉及的量子点研究工作，是我们吉林大学集成光电子学国家重点实验室中的MOCVD 实验室从1994年开始开展研究的，至2002年止，前后约有8～9年时间，先后有许多学生和教师 参加这项研究工作，我从事这项工作比金智和王新强略晚一些，但我们曾共同做过实验，我们 之间的研究工作是前后继承的关系。 随信将MOCVD实验室发表的部分关于量子点方面的论文寄去（手头现有的电子版文章），见附件； 我们还共同发表过许多会议文章，这足以证明我们都是共同参加过量子点研究工作的。特别请方 先生注意这些带AFM照片的关于量子点的论文是包括我（Jingzhi Yin）、王新强（Xinqiang Wang）、 金智（Zhi Jin）、王本忠（Benzhong Wang）、杜国同（Guotong Du）教授、刘式墉（Shiyong Liu） 教授和杨树人（Shuren Yang）教授等多人前后联合交叉署名发表的。这些论文杜国同教授和刘式墉 教授两位导师都是知道的，论文发表多年他们对论文的署名没有提出什么异议。这足以证明这些 AFM照片是我们吉林大学集成光电子学国家重点实验室特别是MOCVD实验室的共同资源，这些AFM照片 都是在MOCVD实验室的微机里保存的公共研究成果，不存在盗用问题。 即使这样，我在引文中还是引用了MOCVD实验室前期发表的论文，一查看引文就能看到论文中的AFM图， 所以根本不存在故意隐瞒和盗用问题。至于引文的位置我认为不应咬文嚼字刻意挑剔。另外还请注意 我的两篇论文中被指责为盗用的AFM照片都不是我论述的重点内容，这些AFM照片都是为了使读者对论 文理解得更清楚而引入的，并没有强调这是我的实验结果而盗为己有，我和杜国同教授也没有因为这 几张AFM照片获得什么荣誉，因此根本没有必要盗用。 以上均属事实，可与吉林大学有关部门联系核实。鉴于此，我认为“吉林大学电子科学与工程学院 院长杜国同等人发表文章时盗用他人AFM照片”一文与事实不符，请方先生尽快在网站上撤消该文。 吉林大学电子科学与工程学院教师 殷景志 附件目录： (1) J. Vac. Sci. Technol. B 18.5., Sep/Oct 2000, p.2523 Characteristics of InAs quantum dots on GaAs/InP with different InAs coverage Xinqiang Wang,a) Guotong Du, Zhi Jin, Mingtao Li, Jingzhi Yin, Zhengting Li, Shiyong Liu, and Shuren Yang Department of Electronic Engineering, State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jilin University region, Jilin University, Changchun 130023, People’s Republic of China (2)Optical Materials 14 (2000) p.211-215 Effect of thin GaAs tensile-strained layer on InAs quantum dots on InP (001) substrate grown by LP-MOVPE Zhi Jin a),*, Shuren Yang a), Bingbing Liu b), Mingtao Li a), Xinqiang Wang a), Zhengting Li a), Guotong Du a), Shiyong Liu a) a) Department of Electronic Engineering, State Key Lab on Integrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130023, People's Republic of China b) State Key Laboratory of Superhard Material, Jilin University, Changchun 130023, People's Republic of China (3)光电子与激光　第11卷　第1期 2000年2月 p.29 InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析 金智, 李明涛, 王新强, 李正庭, 杨树人, 杜国同, 刘式墉 集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区, 吉林大学电子工程系, 长春130023 (4) 在IEEE Lasers and Electro-Optics Scociety 1999 Annual Meeting上宣讲的论文摘要： Influence of the Amount of InAs on InAs Quantum Dots on Thin GaAs Tensile-strained Layer on (001) InP Substrate Guotong Du, Xinqiang Wang, Mingtao Li, Zhi Jin, Jingzhi Yin, Zhengting Li, Shiyong Liu, Shuren Yang Jilin University, Changchun, China (XYS20040517) ◇◇新语丝(www.xys.org)(xys.dxiong.com)(xys.3322.org)(xys.freedns.us)◇◇