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江苏省青年科学家奖——让我如何崇拜你？

飞非

本人是在读硕士，从事凝聚态物理，原计划毕业后到南京大学读博，所以有关南
京大学的东东比较关注，昨天在新浪网看到下面新闻：

江苏省青年科学家奖初评揭晓
（http://news.sina.com.cn/o/2004-11-23/07584317916s.shtml）。 

2004年度江苏省青年科学家奖入围人选名单排在第一位的是：顾书林　南京大学
物理系教授、博导。

纯粹出于好奇，通过Web of Science，在Author输入：Gu sl；在Address输入：
Nanjing Univ；不错有61篇SCI文章！既然是青年科学家，当然要关注的是第一
作者的工作，晕！从1996－2004年只有可怜的6篇。也许人家是少而精？仔细一
查，倒！怎么都是垃圾文章，6篇文章只有一篇被他引5次，其它都是0！看来南
大造垃圾文章一点都不假！号称全国第三的著名大学，号称全国第一的物理系，
挑选出最优秀的青年科学家，就这种水平？说实话这种水平，我同学里可是随便
抓！南大真的是九斤老太了！

下面是我找到的这位青年科学家的材料。 

1. The impact of initial growth and substrate nitridation on thick GaN 
growth on sapphire by hydride vapor phase epitaxy Author(s): Gu SL, 
Zhang R, Shi Y, Zheng YD, Zhang L, Dwikusuma F, Kuech TF Source: 
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 231 (3): 342-351 OCT 2001 (引用5次） 
2. Epitaxial lateral overgrowth of GaN on molecular beam epitaxy GaN 
buffer layers on Si substrates by hydride vapour phase epitaxy 
Author(s): Gu SL, Zhang R, Shi Y, Zheng YD Source: JOURNAL OF PHYSICS 
D-APPLIED PHYSICS 34 (13): 1951-1954 JUL 7 2001 （引用0次） 
3. Study of GeSi alloy deposition on Ge substrate by very low-pressure 
chemical vapor deposition Author(s): Gu SL, Wang RH, Jiang N, Zhu SM, 
Zhang R, Shi Y, Hu LQ, Zheng YD Source: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 183 
(1-2): 117-123 JAN 1998 （引用0次） 
4. SiH4 and GeH4 chemical vapor deposition of GeSi/Ge heterostructures 
Author(s): Gu SL, Zhu XM, Jiang N, Shi Y, Zhang R, Zheng YD Source: 
APPLIED SURFACE SCIENCE 115 (1): 28-30 MAY 1997 （引用0次） 
5. Compressive and tensile strain effects on atomic distribution in 
strained Si-Ge alloys Author(s): Gu SL, Zheng YD, Zhang R, Zhu SM 
Source: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 160 (1): 3-10 MAR 16 
1997 （引用0次） 
6. Gu SL, Zheng YD, Zhang R, et al. Growth kinetics study of SiGe 
alloys deposited by rapid thermal process, very low pressure chemical 
vapor deposition PHYSICA B 229 (1): 74-78 DEC 1996 （引用0次） 

(XYS20041124)

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